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DDR3 复位测试 CLK测试 DQS测试 DDR3 8位 16M复位测试 CLK测试 DQS测试

发布时间:2023-12-15        浏览次数:9        返回列表
前言:DDR3 复位测试 CLK测试 DQS测试 DDR3 8位 16M复位测试 CLK测试 DQS测试
DDR3 复位测试 CLK测试 DQS测试 DDR3  8位 16M复位测试 CLK测试 DQS测试

相对于SDRAM,DDR扩展了原来SDRAM的设计。由于2bit Prefetch架构可以同存取两个bank的数据,使内部数据总线的带宽提高两倍,因此在内存的输出端可以在时钟信号的上升延和下降延传输数据,DDR 的数据传输率是实际工作频率的两倍。DDR2通过使用4-bit预取架构来提高数据传输率,降低对内部bank频率的要求。采用4-bit prefetch架构使DDR2仅能使用两种数据突发传输长度(burst length),BL=4或BL=8。这个比较容易理解,因为DDR2一次存取4bit数据,所以数据突发长度也就成了4或8。

  下面是DDR2和DDR主要思想的区别,实际上,这两种内存的差别不仅仅在带宽上。

  除了带宽,这里还有一个重要的参数是延迟,就象我前面所说的,存储单元不会一直处于 可用状态,因此它们要进行刷新操作。而且,即使存储单元可用,也不可能立即得到它的内存:这里还有其它类型的延迟,如设置行和列的地址,这此延迟都是不能 避免的,它们由DRAM单元的本质所决定。

  让我们看看会有那些延迟,例如内存阵列工作的时钟组合是2-2-2,如果内存阵列在 所有的方案中以相同的频率工作,那么所有的模组都具有同样的延迟(我是说PC100,DDR200,DDR2-400)。它们仅仅是带宽的区别。顺便提一 下,2-2-2组合的含义是:CAS延迟,RAS到CAS的延迟和RAS预充电时间。个数字是取得列地址的延迟时间,第二个数字是行和列地址之间的延 迟,第三个数字是存储单元充电时间,预充电实际上是对行数据进行读操作。

  但实际上,存储单元不会工作在相同的频率上,举例来说PC133就是一个使用非常普 遍的SDRAM,它的DRAM单元工作在133MHz上。因此,DDR200虽然有着比PC133更高的带宽,但是它的相应延迟却更慢(内部阵列的工作频 率仅100MHz),PC133的存储单元的频率要比DDR200存储单元的频率高33%。结果就是,DDR266才具有和PC133一样的延迟上的优 势。

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