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DDR3测试过程中应注意哪些问题?

发布时间:2023-12-21        浏览次数:6        返回列表
前言:DDR3测试过程中应注意哪些问题?
DDR3测试过程中应注意哪些问题?

DDR3测试过程中应注意哪些问题?


DDR3 测试挑战更高的工作频率,根据JEDEC 的相关标准,DDR3的数据速率高达1.6G b ps。随着DDR技术的飞快发展,市场上甚至出现了 2Gbps的DD R3模组。此外,为了实现更 高 的 速 率 和 更 低 的 功 耗 , D D R3采用了更低的电压,仅为1.5V 。在高频率和低电压的条件下对 DDR3进行测试,信号完整性的好坏至关重要,同时也对测试设备的性能提出了更苛刻的要求。

I/O 死区

信号在传播的过程中存在一定的延时。写数据时,测试通道提前将数据输出,以保证其在预定时刻到达芯片管脚;读数据时,测试通道延迟触发采样信号,延迟的时间为信号传输延迟。在 STL( Single Termination Line )连接方式下,由于测试周期的缩短,信号传播延时将变得不可忽视。在这种情况下,测试通道的输出与芯片的输出信号将会发生重叠,重叠的时间区域称为 I/O Dead Band 。对比 DQ信号的 SHMOO眼图,可以清楚看到 I/O Dead Band使得数据窗口的高度和宽度减小,原本 PASS的区域变成 FAIL ,从而造成数据误判。

不可忽视的信号抖动( jitter )

随着数据速率的提高,数据周期的宽度将不大于 1.25ns ,甚至达到 0.625ns 。由于 jitter 的大小相对与周期宽度变得不可忽视,时间参数测试变得更加困难。此外, jitter 还会造成有效数据窗口的缩小,造成信号的误判。因此,测试设备应能提供一种**、高效的时间参数测量手段,以应对 jitter 带来的不利影响。

Fly-by 拓扑结构

为了改善信号完整性, DDR3内存模组采用了 Fly-by 拓扑结构。模组上的 DDR3芯片共享一组 CLK管脚、地址管脚和控制管脚。由于信号传播延迟的存在,模组上的 DDR3芯片会在不同时刻进行数据的输入 / 输出。在进行模组测试时,测试设备应具备对不同测试通道进行时间补偿的能力。

高速电路测试.png

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