图示中可以看出，第二对DQS信号线在x8的devices上并没有使用。它被连接到x8devices的TDQS信号线上。TDQS功能启用时，保证了数据选通信号线的负载均衡性，由于存在端接，并不会产生信号质量问题。
但x8devices的TDQS被关闭时，第二对DQS信号线便会有很长的stub，这对于高速信号来说将会是致命的。
当前的处理器主频和I/O带宽都很高，需要内存提供很高的数据传输率来配合。要知道内存带宽至少要和前端总线带宽同步，这样才不至于影响处理器 性能的发挥。而且处理器的速度提升还在不断的进行中，内存需要每秒钟提供更多的数据来满足处理器的要求。目前的内存速度提升已经相当困难，这时候转变到 DDR2不失为合理的时机，它提供了一条提高内存带宽的康庄之道，可以缓解当前遇到的很多问题。
提高内存性能的两个途径
内存的性能通过下面的公式来计算：
速度=位宽×频率
速度用来表示内存的性能(MB/s)，位宽是指内存总线的宽度(bit)，频率当然就是指数据传输的频率，注意，这里说的是数据传输的频率，而不是内存的工作频率，在DDR时代，数据传输频率是内存工作频率的二倍。
因此，提高性能有两种方式，增加内存总线的位宽或者是提高内存工作的频率。好的，让我们来看看内存如今的状态是怎么样。
虽然内存发展出很多的类型，但是它们都是基于原始的DRAM单元，实际上，它是一个晶体管和一个电容的结合体，很简单但也很。有很多尝试希 望丢弃这种阵旧的以晶体管为基础的存储方式，出现了一些新的存储技术，如MRAM(Magnetoresistive RAM)，FRAM (Ferroelectric RAM)等，但是它们都没有获得足够的成功。没有其它内存类型能够提供一个和DRAM相似的，结合了容量，价格和速度的解决方案。
当然还有很多快速的基本单元结构，象静态内存(SRAM)，它不象动态内存那样需要刷新(预充电)，但是它的每个存储单元耗用了大量的晶体管，它太贵太大了，因此内存芯片不能够达到足够大的容量，还有一些廉价的解决方案，但是它们的性能无法用于PC的主内存系统。
换句话说，基本的DRAM架构仍然是现代内存类型的基础，因此，所有的现代内存类型都继承了DRAM的优点和缺点：它需要刷新(预充电，不然随 着漏电，DRAM中的数据会消失)，以及有操作频率的上限(这也是用电容充电来存储数据的弊病)。来谈谈的参数，你能够注意到时钟频率是很长时间以来 DRAM改变的地方。当PC的其它子系统变得越来越快时，只有经典的内存单元组织结构很难提高它的时钟频率。实际上，时钟频率的提升完全要归功于半导 体工艺的进步，DRAM的结构没对频率提升做出贡献。
今天，只有那些特别挑选的内存存储阵列的工作频率能达到275MHz(如Hynix发布的DDR550)，这些都是成本高昂的产品，无法达到大批量生产。需要注意的是内存存储阵列的频率是无法达到550MHz的，这里说的是内存的传输速度。
因此，我们只剩下一条路，那就是增加内存总线的宽度，但是，这个方法受到了很多限制：今天，标准平台使用双通道128bit内存总线，它的设 计，布线已经比原来64位内存通道的主板复杂了很多，几乎很难在合理的成本下再提高内存总线位数。继续增加总线宽度，不但成本高昂，而且带来的电磁干扰会 造成极大的负面影响。
看来，我们给自己制造了一个死锁，内存单元无法提高频率，内存总线位宽也不能轻易增加，我们该何去何从？
DDR2内存就是解决方案
SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)
首先，让我们回忆一下已经被放弃的SDRAM的工作原理，实际上，它内部包括了许多存储单元阵列，以及输入/输出缓存和电源/刷新电路，一 个单元(电源/刷新电路)和我们下面的描述没有关系。它的三个子系统(存储单元阵列，输入/输出缓存)都以相同的频率工作，这就是它为什么称为同步内存的 原因。举例来说，一个100MHz，64位总线宽度的SDRAM，内存的数据通过I/O缓存然后到达内存控制器。这个内存模组就是我们所熟知的PC100 内存，它的带宽为800MB/s(100MHz×8 bytes或64 bits)，每个时钟周期传输一次数据，它在时钟的上升沿传输数据。
