EPROM
Intel很早就发明了EPROM，这是一种可以用紫外线擦除的存储器。相较于ROM，它的内容可以更新而且可以保持10～20年，老式电脑的BIOS都存储于此。它的顶部必须被覆盖住，以防被阳光里的紫外线擦除。
发明者：Intel。
痛点：用紫外线擦除的存储器，擦除很麻烦。
2、EEPROM
后来Intel在其基础上于1978年发明了电可擦除的升级版叫做EEPROM。不需要阳光的帮忙，方便多了，可是读取和擦除速度却非常缓慢。
痛点：擦除速度很慢。
3、NOR Flash
桀冈富士雄（Fujio Masuoka），他于1971年加入了东芝公司。受到了EEPROM的启发，他开始利用自己夜晚和的时间钻研一种能快速擦除的EERPOM（我们也要向他学习啊）。他在1980年取得突破，申请了一个叫做simultaneously erasable EEPROM的专利。当他拿着他的样品参加当年的IEEE大会的时候，NOR Flash引起了轰动。由于新发明的这种EEPROM擦除速度飞快，富士雄的同事建议他把这种技术取名Flash，暗合相机的闪光灯飞快闪烁之意。
发明者：桀冈富士雄（Fujio Masuoka）（东芝）。
痛点：制造成本高。
4、NAND Flash
富士雄却并没有停止他的追求，在1986年发明了NAND Flash，大大降低了制造成本。
二、工作原理
1、存储数据原理
两种Flash都是用三端器件作为存储单元，分别为源极、漏极和栅极，与场效应管的工作原理相同，主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断。栅极的电流消耗极小，不同的是场效应管为单栅极结构，而 Flash为双栅极结构，在栅极与硅衬底之间增加了一个浮置栅极。浮置栅极是由氮化物夹在两层二氧化硅材料之间构成的，中间的氮化物就是可以存储电荷的电荷势阱。上下两层氧化物的厚度大于50埃（埃米是晶体学、原子物理、超显微结构等常用的长度单位，音译为"埃"，符号为?，1?等于10-10m，即纳米的十分之一），以避免发生击穿。
